Jste zde

Výkonové obvody

Duální 100 V MOSFETy s velmi nízkým odporem v sepnutém stavu

Libor Michalec, 25. Říjen 2023 - 9:15

Nižší spotřeba energie a menší velikost motorů ventilátorů používaných v komunikačních základnových stanicích a průmyslových zařízeních vyžadují miniaturní drivery pro jejich řízení. Právě pro tento účel ROHM nabízí miniaturní MOSFET tranzistory o rozměrech 5,0 x 6,0 x 3,3 mm.

Motorové drivery v miniaturním pouzdře s minimem externích komponent

Libor Michalec, 17. Červenec 2023 - 8:06

Toshiba rozšiřuje své portfolio o čtyři miniaturní drivery o velikosti 6,4 mm x 9,7 mm, které mají integrované kondenzátory pro nábojové pumpy a díky tomu potřebují jen minimum externích komponent. Drivery jsou vhodné pro multifunkční tiskárny, bankomaty, bezpečnostní kamery, projektory a jinou kancelářskou techniku.

Galvanicky izolované výkonové spínače s rozhraním SPI pro vysoké indukční zátěže

Libor Michalec, 4. Červenec 2023 - 7:54

Osmi kanálové galvanicky oddělené spínače ISO808, ISO808A, ISO808-1 a ISO808A-1 se vyznačují velmi nízkou hodnotou odporu v sepnutém stavu RDS(on) pod 260 mΩ. Typické použití spínačů je v PLC automatech, průmyslových počítačích a všude tam, kde je nuné zajistit galvanickou izolaci s cílem zvýšení ochrany citlivé elektroniky.

30V symetrické duální MOSFET tranzistory v miniaturním pouzdru

Libor Michalec, 1. Únor 2023 - 8:19

Vishay Intertechnology uvádí na trh dva 30V symetrické duální n-kanálové výkonové MOSFET tranzistory s technologií TrenchFET Gen V umístěné v pouzdru PowerPAIR 3x3FS o velikosti 3,3 mm x 3,3 mm. Jsou určeny pro výpočetní a telekomunikační aplikace, kde dochází k vysokofrekvenčnímu spínání.

Stránky




Informace obsažené v článcích jsou platné k datu vydání uvedeném v hlavičce článku a jejich platnost může být časově závislá

Komentáře a diskuse vyjadřují názory autorů, nikoliv redakce, která za jejich obsah nenese zodpovědnost.